Visão geral

A série de embalagens IC de tungstênio cobre (W-Cu) NEWLIFE foi desenvolvida especificamente para chips semicondutores de potência, amplificadores de RF, módulos de micro-ondas e suportes de dispositivos herméticos que exigem desempenho térmico e mecânico extremamente estável. Ao contrário das placas de cobre convencionais ou das laminações compostas, os materiais W-Cu fabricados usando a plataforma PM/MIM de alta-precisão da NEWLIFE fornecem uma combinação de capacidade-de propagação de calor, rigidez estrutural e ajuste CTE que é essencial para arquiteturas modernas de CI de alta-densidade.

Esses substratos funcionam tanto como interface térmica quanto como base estrutural. Sua fase de tungstênio proporciona baixa deformação e coeficiente de expansão controlável, enquanto a fase de cobre garante dissipação eficiente de calor dos chips ativos. A confiabilidade do dispositivo aumenta significativamente quando o CTE é estreitamente compatível com Si, SiC, GaN ou GaAs; isso minimiza o acúmulo de tensão em torno das juntas de solda e das interfaces de ligação, especialmente em condições de ciclos de alta-temperatura. A equipe de materiais da NEWLIFE ajusta as proporções de pó e os parâmetros de sinterização para fornecer faixas CTE precisas, permitindo que os projetistas selecionem um substrato otimizado para o material específico da matriz.

Tecnologia de Fabricação

As peças da embalagem W–Cu IC são formadas usando uma combinação de prensagem de alta-pressão, modelagem MIM avançada e sinterização de precisão. Esses processos permitem a construção de recursos que a usinagem tradicional não consegue alcançar economicamente, como micro-canais para fluxo de calor direcionado, regiões escalonadas para integração de múltiplas-matrizes ou estruturas de cavidade para alinhamento hermético de componentes. Como a maior precisão dimensional é alcançada no estágio de moldagem, a-usinagem pós-usinagem é mínima, tornando os componentes adequados para produção de semicondutores de grande-volume e custo-sensíveis.
A uniformidade microestrutural é uma vantagem fundamental. O processo de metalurgia do pó produz estruturas de tungstênio firmemente unidas e preenchidas com cobre distribuído uniformemente, eliminando a densidade inconsistente ou vazios comuns em compósitos fundidos. Isso resulta em maior integridade da junta, empenamento reduzido e expansão térmica previsível em todo o substrato.

Benefícios de desempenho

Dispositivos embalados com experiência de substratos NEWLIFE W – Cu:

Confiabilidade térmica aprimorada devido à alta condutividade da fase-de cobre
Forte suporte mecânico sob ciclagem térmica contínua
Resistência térmica reduzida entre a matriz e o dissipador de calor
Desempenho elétrico estável em módulos de RF e micro-ondas
Excelente compatibilidade com metalização comum como Ni/Au, Ag, Cu ou ENEPIG

A alta densidade do material garante a estabilidade dimensional, o que é fundamental para montagens de IC com-tolerância rígida e processos automatizados de fixação de matrizes-.

Cenários de aplicação

Esses substratos de embalagem estão integrados em:

Dispositivos de comutação-de alta potência usados em sistemas de energia industriais
Portadores de transistor RF para componentes de estação base sem fio
Módulos de micro-ondas herméticos-de defesa
Estágios de potência-de SiC e GaN de alta temperatura
Circuitos híbridos de precisão e pacotes microeletrônicos selados

A série de embalagens NEWLIFE W–Cu IC oferece aos projetistas um substrato altamente confiável, termicamente eficiente e{0}}com boa relação custo-benefício, projetado para módulos semicondutores da próxima-geração.